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测量金属屏蔽层电阻和导体电阻可以监视其受腐蚀变化情况，测量电阻比可以消除温度对直流电阻测量的影响。

5.2试验周期

交接试验

5.3试验方法

用双臂电桥测量在相同温度下的金属屏蔽层和导体的直流电阻

5.4试验判断

与投运前的测量数据相比较不应有较大的变化。当前者与后者之比与投运前相比增加时，表明屏蔽层的直流电阻增大，铜屏蔽层有可能被腐蚀；当该比值与投运前相比减少时，表明附件中的导体连接点的接触电阻有增大的可能。

6. 交叉互联系统试验

6.1交叉互联系统示意图

6.2交叉互联效果及构成

相比不交叉互联，金属护层流过的电流大大降低。

非接地端金属护层上蕞高鳡应电压为蕞长长度那一段电缆金属护层上鳡应的电压。

交叉互联必须断开金属护层，断口间与对地均需绝缘良好，一般采用互联箱进行电缆金属护层的交叉互联。

接地端金属护层通过同轴电缆引入直接接地箱接地；非接地端金属护层通过同轴电缆引入交叉互联接地箱，箱内装有护层过电压保护器限制可能出现的过电压。

保护接地箱

直接接地箱

交叉互联箱

6.3交叉互联性能检验

电缆外护套、绝缘接头外护套与绝缘夹板的直流耐压试验

试验时必须将护层过电压保护器断开，在互联箱中将另一侧的三段电缆金属套都接地，使绝缘接头的绝缘环也能结合在一起进行试验。  

非线性电阻型护层过电压保护器试验

以下两项均为交接试验项目，预防性试验选做其中一个。

伏安特性或参考电压，应符合制造厂的规定。

5.电抗、阻抗及电压降

由公式X=ωL得到电抗：

X=2πf×0.632×10-3=0.199Ω

由公式Z=（R2+X2）1/2 得到阻抗：

Z=（ 0.86992+0.1992）1/2=0.8924Ω

由公式△U=IZl  得到电压降为：

△U=500×0.8924Ω=374.8V

6.电容

由公式C=2πε0ε/ln(Di/Dc)得到单位长度电容：

C1=2×3.14×8.86×10-12×2.5/Ln(65/30) =

0.179×10-6 F/m

该电缆总电容为C=0.179×10-6×2300 = 0.411×10-3 F

1. 电缆沟（隧道）土石方工程

1.1电缆沟（隧道）基坑开挖

工艺标准

（1） 根据相关部门批准的路径图，对基坑中心位置及外轮廓进行***、放样。

（2） 基坑底部施工面宽度为排管横断面设计宽度并两边各加500mm，便于支模及设置基坑支护等工作。

n在做电缆头时，剥去了屏蔽层，改变了电缆原有的电场分布，将长生对绝缘极为不利的切向电场（沿导线轴向的电力线）。在剥去屏蔽层芯线的电力线向屏蔽层断口处集中。那么在屏蔽层断口处就是电缆容易击穿的部位。

n

n电缆容易击穿的屏蔽层断口处，我们采取分散这集中的电力线（电应力），用介电常数为20~30，体积电阻率为108 ～1012 Ω·CM材料制作的电应力控制管（简称应力管），套在屏蔽层断口处，以分散断口处的电场应力（电力线），保证电缆能可靠运行。施工要点水平敷设时，在终端、接头或转弯处紧邻部位的电缆上，应设置不少于1处的刚性固定。

      电应力控制是中高压电缆附件设计中的极为重要的部分。应力控制是

对电缆附件内部的电场分布和电场强度实行控。对于电缆终端而言，电

场畸变为严重，影响终端运行可靠性的是电缆外屏蔽切断处，电

缆中间接头电场畸变的影响，除了电缆外屏蔽切断处，还有电缆末端绝

缘切断处。为了改善电缆绝缘屏蔽层切断处的电应力分布，一般采用以

下几种方法：

（一）参数控制法：　　

  采用高介电常数材料缓解电场应力集中 高介电常数材料：采用应力控制

层。其原理是采用合适的电气参数的材料复合在电缆末端屏蔽切断处的绝缘表面

上，以改变绝缘表面的电位分布，从而达到改善电场的目的。另一方法是增大屏

蔽末端绝缘表面电容（Cs)，从而降低这部分的容抗，也能使电位降下来，容抗

减小会使表面电容电流增加，但不会导致发热，由于电容正比于材料的介电常

数，也就是说要想增大表面电容，可以在电缆屏蔽末端绝缘表面附加一层高介电

常数的材料。